磷化铟INP作为半导体衬底，需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗等工艺过程。由于磷化铟铸铁平台小、质地软脆，在锯切及研磨加工工艺中，晶片表面容易产生表面/亚表面损伤层，需要通过布袋除尘器终的CMP抛光工艺去除表面/亚表面损伤、减少位错密度并降低表面粗糙度。
吉致电子磷化铟抛光液采用氧化铝作为磨料，由于氧化铝本身的莫氏铸铁平台要大于二氧化硅，所以也要采用化学作用较强的氧化剂与之匹配。在清洗方面氧化铝抛光液不同于硅溶胶，不会在芯片表面有一层吸附层，所以在布袋除尘器后芯片的清洗方面有着明显的优势。
吉致电子半导体抛光液针对不同晶圆配制专业CMP抛光液：铌酸锂抛光液、磷化铟抛光液、砷化镓抛光液、碳化硅SiC抛光液等，免费咨询17706168670申领样品。
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