通过研磨工艺使用微小粒径的金刚石研磨液，对SiC晶片进行机械抛光加工后，可大幅度改善晶圆表面平坦度。但加工表面存在很多划痕，且有较深的残留应力层和机械损伤层。为进一步提高碳化硅晶圆表面质量，改善粗糙度及平整度，，超精密抛光是SiC表面加工工序中非常关键的一个环节。其中化学机械抛光（CMP）技术是目前实现SiC晶片全局平坦化布袋除尘器有效的方法。CMP是通过化学腐蚀和机械磨损协同作用，实现工件表面材料去除及平坦化的过程。
吉致电子碳化硅抛光液的质量对抛光速率及抛光质量有着重要作用，抛光液特点是：
①流动性好，易循环，低残留、易清洗；
②悬浮性能好，不宜沉淀和结块；
③去除率高，不产生表面损伤；
抛光液通过粗抛、精抛工艺可使SiC表面质量特征参数符合后序加工中的精度要求。
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