STI目前已成为器件之间隔离的关键技术，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技术。其主要步骤包括在纯硅片上刻蚀浅沟槽、进行二氧化硅沉积、后用CMP技术进行表面平坦化。目前的研究表明采用纳米氧化铈作为CMP磨料，在抛光效率及效果上均优于其他产品。
纳米氧化铈抛光液在硅晶圆CMP平坦化的效果优异
粒径小于100nm的球形氧化铈抛光液用于单晶硅片表面CMP及多晶硅CMP，根据研究表明，纳米氧化铈分散液对硅晶圆有着较强的氧化性，这样硅片表面会形成很薄的一层氧化层，有利于提高抛光效率及得到很低的表面粗糙度使产品表面光亮有达到镜面效果。而且纳米氧化铈抛光液中不用加入双氧水等腐蚀液及有机碱类材料，这样抛光液更符合环保要求。国内正在大规模兴建8和12英寸单晶硅片生产线，然而目前各类尺寸晶圆的抛光液材料严重依赖进口，吉致电子研发生产的纳米氧化铈抛光液可以摆脱依赖进口的CMP抛光液，有望成为硅薄膜CMP抛光液平替。
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