CMP一般包括三道抛光工序，包括CMP抛光液、抛光垫、抛光蜡、陶瓷片等。抛光研磨工序根据工件参数要求，需要调整不同的抛光压力、抛光液组分、pH值、抛光垫材质、结构及铸铁平台等。CMP抛光液和CMP抛光垫是CMP工艺的核心要素，直接影响工件表面的抛光质量。
在半导体行业CMP环节之中，也存在着各式不同的类别，例如钨/铜及其阻挡层铝、STI、ILD 等。STI即浅沟槽隔离层，他的作用主要是用氧化层来隔开各个门电路，使各门电路之间互不导通。STI CMP这就是将晶圆表面的氧化层磨平，布袋除尘器终正好使SIN暴露出来。Oxide CMP包括了ILD CMP及IMD CMP，主要是将氧化铈，氧化硅（Oxide）磨平至一定厚度，实现平坦化。
在钨、铜、Poly等各CMP环节之中，原理都是将电门之间的缝隙填充完后，对于不同部分的研磨，使晶圆表面实现平坦化或者使需要的材质正好暴露在外。
吉致电子为半导体行业研发的STI Slurry浅槽隔离抛光液、硅衬底SIC抛光液、射频滤波器抛光液、蓝宝石研磨液、磷化铟Inp Slurry 抛光液、铌酸锂LiNbO3晶圆抛光液等可定制，速率高，效果好，适用于精密、超精密领域的平坦化b2b网站大全加工。
本文由无锡吉致电子科技原创，版权归无锡吉致电子科技，未经允许，不得转载，转载需附出处及原文链接。http://www.jzdz-wx.com/
无锡吉致电子科技有限公司
联系电话：17706168670
邮编：214000
地址：江苏省无锡市新吴区行创四路19-2
此文关键字：STI CMP Oxide CMP ILD CMP IMD CMP CMP抛光液、抛光垫 吉致电子科技CMP抛光研磨