浅槽隔离（shallow trench isolation），简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺，通常用于亚0.25um工艺以下，利用掩模完成选择性氧化，主要绝缘材料是淀积SiO?，浅槽隔离主要分为三个部分：槽刻蚀，氧化硅填充，氧化硅平坦化。
吉致电子STI Slurry浅槽隔离抛光液适用于集成电路、半导体工件当中的铜互连工艺制程中铜的去除和平坦化。具有高的铜去除速率，碟型凹陷可调，低缺陷等特性。可应用于逻辑芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量产使用。免费b2b集成电路中铜抛光后表面的抛光颗粒和化学物残留，以防铜表面腐蚀，降低表面缺陷。
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