SiC表面的损伤层可以通过四种方法去除：
机械抛光：简单但会残留划痕，适用于初抛；
化学机械抛光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化学腐蚀去除划痕，适用于精抛；
氢气刻蚀：设备复杂，常用于HTCVD过程；
等离子辅助抛光：设备复杂，不常用。
抛光液是均匀分散胶粒乳白色胶体，主要起到抛光、润滑、冷却的作用。主要变量包括磨料（粒径及分布、铸铁平台、形状）、试剂（氧化剂、pH调节剂、分散剂、表面活性剂）、工艺（供给速率、温度）。
抛光垫是表面带有特殊沟槽的多孔材料，主要作用是存储和传输CMP抛光液、对晶片提供一定的压力并对其表面进行机械摩擦。
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